Error
  • JLIB_APPLICATION_ERROR_COMPONENT_NOT_LOADING

Hynix утверждает, что создала первые чипы памяти с технологией межслойных соединений

Южнокорейская компания SK hynix создала, как она утверждает, первый в мире чип памяти с применением технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV). Эти микросхемы превосходят доступные на рынке образцы памяти по скорости и эффективности потребления энергии.

Созданная совместно с корпорацией AMD новая память состоит из четырех чипов DRAM, изготовленных по 40-нм техпроцессу и объединенных в один модуль посредством «связи сквозь кремний». За счет размещения компонентов ближе друг к другу, чем раньше, повышается быстродействие, уменьшаются габариты и энергопотребление полупроводниковых микросхем. В случае с разработкой Hynix и AMD энергоэффективность повышена на 40%, а напряжение питания составляет 1,2 В.

eteknix.com

eteknix.com

Пропускная способность TSV-памяти составляет 128 Гбит/с, что в четыре раза больше по сравнению с чипами GDDR5, пишет The Korea Herald.

Такая производительность найдет применение в суперкомпьютерах, серверах и вычислительных устройствах, от которых требуется высокая графическая мощь.

gadgets.ndtv.com

gadgets.ndtv.com

В SK hynix обещают начать серийное производство памяти с использованием технологии межслойных соединений во второй половине будущего года.